| Номер детали производителя : | 1N5416 BK TIN/LEAD |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Central Semiconductor |
| Состояние на складе : | 1990 pcs Stock |
| Описание : | DIODE GEN PURP 100V 3A GPR-4AM |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | 1N5416 BK TIN/LEAD(1).pdf1N5416 BK TIN/LEAD(2).pdf1N5416 BK TIN/LEAD(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | 1N5416 BK TIN/LEAD |
|---|---|
| производитель | Central Semiconductor |
| Описание | DIODE GEN PURP 100V 3A GPR-4AM |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 1990 pcs |
| Спецификация | 1N5416 BK TIN/LEAD(1).pdf1N5416 BK TIN/LEAD(2).pdf1N5416 BK TIN/LEAD(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 3 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | GPR-4AM |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 150 ns |
| Упаковка / | R-4, Axial |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 200°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 100 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F | 175pF @ 12V, 1MHz |








DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B
DIODE GEN PURP 100V 3A GPR-4AM
DIODE GEN PURP 50V 3A
DIODE GEN PURP 100V 3A
DIODE GEN PURP 100V 3A GPR-4AM

Interface

Interface

DIODE GEN PURP 50V 3A D-5B

UFR,FRR
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL